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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
3083
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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