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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
41
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
22
读取速度,GB/s
11.1
18.2
写入速度,GB/s
8.2
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
3083
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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