RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
16.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
3914
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link