Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs AMD R534G1601U1S 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Gesamtnote
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AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Unterschiede

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    43 left arrow 68
    Rund um 37% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11 left arrow 6.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 4.7
    Durchschnittswert bei den Tests
AMD R534G1601U1S 4GB Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S 4GB
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  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 68
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.0 left arrow 6.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 4.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1393 left arrow 1209
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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