RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
2847
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link