RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
2809
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link