RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
54
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
17.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3929
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link