RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3929
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link