RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
2484
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link