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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
2559
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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