RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
2559
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link