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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
71
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
71
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
1799
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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