RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
2389
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link