RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno 27% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
37
Velocità di lettura, GB/s
12.2
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
2389
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link