RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
27
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
3435
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link