RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
27
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
19
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
3435
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link