RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
46
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
14.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
3170
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link