RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
46
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
42
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
13.6
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3170
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link