RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
2936
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link