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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
14.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
46
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
12.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2936
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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