RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
32
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
3060
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link