RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
2960
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link