RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
71
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
1650
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link