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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
71
Autour de 51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
71
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
1650
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
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Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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