Comparação RAM Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Pontuação geral

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

35 71

Por volta de 51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.6 6.4

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.6 13.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 12800

Por volta de 1.66 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2312 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns