Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Pontuação geral
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Pontuação geral
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    35 left arrow 71
    Por volta de 51% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.6 left arrow 6.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.6 left arrow 13.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    35 left arrow 71
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.7 left arrow 15.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 6.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2312 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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