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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
71
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
71
读取速度,GB/s
13.7
15.6
写入速度,GB/s
9.6
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
1650
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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