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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
27
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
27
读取速度,GB/s
17.7
18.4
写入速度,GB/s
13.1
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
3711
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
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