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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
3,231.0
10.8
写入速度,GB/s
1,447.3
8.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2416
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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