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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB

总分
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

总分
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Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB

差异 规格 评论

差异

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 62
    左右 -72% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 1,843.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    62 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    3,556.6 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    1,843.6 left arrow 9.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    542 left arrow 2488

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较

SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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内存RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
内存RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
内存RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Corsair CMT8GX3M2A2000C9 4GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
内存RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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内存RAM