RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
62
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2488
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link