RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
77
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3188
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link