RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3188
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link