RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3188
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link