RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
37
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
2633
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link