RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2633
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link