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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2786
2848
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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