RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2786
2848
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Lenovo 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link