RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
53
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
53
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2319
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link