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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

Puntuación global
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 35
    En 3% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.6 left arrow 11.3
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.5 left arrow 15.4
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    34 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.4 left arrow 15.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.6 left arrow 11.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2786 left arrow 2848

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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