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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
3287
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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