Porównanie pamięci RAM Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 96

Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

20.5 2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.5 1,336.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 6400

Wokół strony 4 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

438 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns