Comparación de la memoria RAM Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 96

En -210% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.5 2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.5 1,336.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 6400

En 4 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

438 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns