RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
96
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3649
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link