Comparação RAM Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

31 96

Por volta de -210% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.5 2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.5 1,336.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 6400

Por volta de 4 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

438 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns