RAM-Vergleich Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 96

Rund um -210% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.5 1,336.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 6400

Rund um 4 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

438 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns