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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
96
Intorno -210% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
31
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3649
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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