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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
96
Autour de -210% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3649
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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