RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
41
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2298
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link