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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
総合得点
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
総合得点
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
41
周辺 -8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.6
11.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.8
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
38
読み出し速度、GB/s
11.6
14.6
書き込み速度、GB/秒
7.3
10.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2298
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