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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
41
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
38
Velocità di lettura, GB/s
11.6
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
2298
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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