RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
60
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2511
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link